日前，北京大學(xué)電子學(xué)院王興軍教授、彭超教授、舒浩文研究員聯(lián)合團(tuán)隊(duì)在超高速純硅調(diào)制器研究方面取得重大突破，成功實(shí)現(xiàn)了全球首個(gè)電光帶寬達(dá)110GHz的純硅調(diào)制器。這是自2004年英特爾在《自然》期刊報(bào)道第一個(gè)1GHz硅調(diào)制器后，國(guó)際上第一次把純硅調(diào)制器的帶寬提高100GHz以上。相關(guān)研究成果以《110GHz帶寬慢光硅調(diào)制器》為題，在線發(fā)表于《科學(xué)·進(jìn)展》。
該純硅調(diào)制器同時(shí)具有超高帶寬、超小尺寸、超大通帶及互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）集成工藝兼容等優(yōu)勢(shì)，滿足了未來超高速應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)超高速率、高集成度、多波長(zhǎng)通信、高熱穩(wěn)定性及晶圓級(jí)生產(chǎn)等需求，是硅基光電子領(lǐng)域的重大突破。
隨著互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)中心的規(guī)模和復(fù)雜度也在不斷增加，對(duì)數(shù)據(jù)傳輸速率、集成度以及穩(wěn)定性的要求也越來越高。此次突破性的研究成果，正是對(duì)這一需求的有力回應(yīng)。它將為高速、短距離數(shù)據(jù)中心和光通信的應(yīng)用提供重要關(guān)鍵技術(shù)支撐，也將為全球的數(shù)據(jù)中心發(fā)展提供新的技術(shù)可能，對(duì)下一代數(shù)據(jù)中心的發(fā)展具有重大意義。
圖片來源|我圖網(wǎng)
(聲明：本號(hào)所發(fā)內(nèi)容僅作為信息傳遞之目的，版權(quán)歸創(chuàng)作者所有，如有不妥請(qǐng)及時(shí)聯(lián)系刪除，謝謝。）